| SiC（シリコンカーバイド）およびGaN（ガリウムナイトライド）パワーデバイスは、近年のエレクトロニクス分野において重要な役割を果たす材料技術です。これらのデバイスは、高効率、高電圧、そして高温耐性といった特性を持ち、さまざまな用途で活用されています。 まず、SiCの定義について説明します。SiCは、炭素とケイ素からなる化合物半導体で、非常に高いバンドギャップを持っています。これにより、SiCは高温環境や高電圧条件下でも優れた動作を可能にします。また、SiCの特徴には、電子の移動度が高いこと、耐熱性が高いこと、耐放射線性があることなどがあります。これらの特性により、SiCは電力変換デバイスにおいて特に有用です。 次にGaNの定義についてお話しします。GaNはガリウムと窒素の化合物であり、高い電子移動度と大きなバンドギャップを持っています。GaNは、特に高周波数での動作に適しており、効率的な動作を実現します。一般的にGaNデバイスは、特に無線通信、RF（ラジオ周波数）アプリケーション、そして電力変換の領域で広く利用されています。 SiCおよびGaNデバイスの特徴について詳しく述べます。SiCパワーデバイスの主な特徴は、高耐圧性能です。SiCは、通常のシリコンに比べて数倍の耐圧能力を持っているため、高電圧アプリケーションで非常に重要です。さらに、低い抵抗値と優れた熱導電性を持つため、高効率の電力変換が可能です。以上の特性から、SiCデバイスは太陽光発電インバータ、電気自動車のパワーエレクトロニクス、さらにはワイドバンドギャップ半導体を使用した高電力システムで広く利用されています。 一方、GaNデバイスは、高速スイッチングと優れた周波数特性を持ち合わせています。これは、GaNが特に高いスイッチング周波数で動作する能力に優れているため、高効率の電力変換を実現できるからです。さらに、GaNは小型化が容易で、軽量なデザインにも対応できるため、携帯電子機器やドローンなどの応用での需要が高まっています。GaNデバイスは、スマートフォンの充電器、無線充電器、さらには高出力RFアンプなどのさまざまな応用で用いられています。 SiCとGaNの種類についても触れておきます。SiCデバイスには、主にSiC MOSFET（メタルオキサイド半導体フィールド効果トランジスタ）、SiC SBD（ショットキーバリアダイオード）、SiC BJT（バイポーラ接合トランジスタ）などがあります。これらはそれぞれ異なる用途や特性を持っており、選択する際にはアプリケーションに応じた最適なデバイスの選定が必要です。 GaNデバイスについても、GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）やGaN FET（フィールド効果トランジスタ）などの種類があります。HEMTは、高周波数でのパフォーマンスに優れ、増幅器用途での使用が多いです。また、GaN FETは効率的なスイッチングが可能で、電圧変換や電力管理に使用されます。 これらのパワーデバイスの用途は多岐にわたります。SiCパワーデバイスは、主に電気自動車、再生可能エネルギーシステム、工業用ドライブ、さらには航空宇宙分野などで利用されています。これに対して、GaNパワーデバイスは、特に通信インフラ、高周波デバイス、A/V機器、さらには小型の電源装置などにおいて重要な役割を果たしています。これらの応用分野では、高効率、高い信号品質、そしてコンパクトな設計が求められています。 さらに、SiCおよびGaNデバイスの製造にはさまざまな関連技術があります。例えば、これらの材料のエピタキシャル成長技術や、デバイス設計、パッケージング技術は、パフォーマンスを大いに左右します。特にSiCは結晶成長が難しいため、製造プロセスの改善が進められていますが、2023年現在でも高品質のウエハーを得るための研究が進んでいます。 また、GaNは、最近の進展により、より安価で高性能な製造プロセスが確立されつつあります。この背景には、MEMS（微小電子機械システム）技術やベクトル集積技術の進化があり、GaNデバイスの機能性向上に寄与しています。これにより、GaNデバイスの商業化が進み、ますます多くのアプリケーションへと展開されるでしょう。 今後の展望として、SiCおよびGaNデバイスは、ますます多くの用途で採用されると予想されます。特に、再生可能エネルギーの普及や電気自動車の増加に伴い、これらのパワーデバイスの需要は高まる見込みです。また、持続可能なエネルギーへのシフトが進む中で、エネルギー効率の良いデバイスを求めるニーズも高まっています。 これらの技術革新や適用範囲の拡大により、SiCおよびGaNパワーデバイスは、今後のエレクトロニクス分野において欠かせない存在となるでしょう。今後の研究開発と商業化の進展が、私たちのエネルギーの使用と技術の進展に大きな影響を与えることが期待されます。 |
1 市場概要
1.1 製品の概要と範囲
1.2 市場推定と基準年
1.3 タイプ別市場分析
1.3.1 概要:世界のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別消費額：2020年対2024年対2031年
GaNパワーデバイス、SiCパワーデバイス
1.4 用途別市場分析
1.4.1 概要:世界のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別消費額：2020年対2024年対2031年
UPS＆PSシステム、太陽光発電インバータ、IMD、EV＆HEV、その他
1.5 世界のSiC＆GaNパワーデバイス市場規模と予測
1.5.1 世界のSiC＆GaNパワーデバイス消費額（2020年対2024年対2031年）
1.5.2 世界のSiC＆GaNパワーデバイス販売数量（2020年-2031年）
1.5.3 世界のSiC＆GaNパワーデバイスの平均価格（2020年-2031年）
2 メーカープロフィール
※掲載企業リスト：Infineon、 Efficient Power Conversion (EPC)、 Rohm、 STMicro、 Fuji、 Mitsubishi、 United Silicon Carbide Inc.、 Toshiba、 GeneSic、 Microchip Technology、 GaN Systems、 VisIC Technologies、 Transphorm
Company A
Company Aの詳細
Company Aの主要事業
Company AのSiC＆GaNパワーデバイス製品およびサービス
Company AのSiC＆GaNパワーデバイスの販売数量、平均価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2020-2024）
Company Aの最近の動向/最新情報
Company B
Company Bの詳細
Company Bの主要事業
Company BのSiC＆GaNパワーデバイス製品およびサービス
Company BのSiC＆GaNパワーデバイスの販売数量、平均価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2020-2024）
Company Bの最近の動向/最新情報
…
…
3 競争環境：メーカー別SiC＆GaNパワーデバイス市場分析
3.1 世界のSiC＆GaNパワーデバイスのメーカー別販売数量（2020-2024）
3.2 世界のSiC＆GaNパワーデバイスのメーカー別売上高（2020-2024）
3.3 世界のSiC＆GaNパワーデバイスのメーカー別平均価格（2020-2024）
3.4 市場シェア分析（2024年）
3.4.1 SiC＆GaNパワーデバイスのメーカー別売上および市場シェア(%)：2024年
3.4.2 2024年におけるSiC＆GaNパワーデバイスメーカー上位3社の市場シェア
3.4.3 2024年におけるSiC＆GaNパワーデバイスメーカー上位6社の市場シェア
3.5 SiC＆GaNパワーデバイス市場:全体企業フットプリント分析
3.5.1 SiC＆GaNパワーデバイス市場：地域別フットプリント
3.5.2 SiC＆GaNパワーデバイス市場：製品タイプ別フットプリント
3.5.3 SiC＆GaNパワーデバイス市場：用途別フットプリント
3.6 新規参入企業と参入障壁
3.7 合併、買収、契約、提携
4 地域別消費分析
4.1 世界のSiC＆GaNパワーデバイスの地域別市場規模
4.1.1 地域別SiC＆GaNパワーデバイス販売数量（2020年-2031年）
4.1.2 SiC＆GaNパワーデバイスの地域別消費額（2020年-2031年）
4.1.3 SiC＆GaNパワーデバイスの地域別平均価格（2020年-2031年）
4.2 北米のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額（2020年-2031年）
4.3 欧州のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額（2020年-2031年）
4.4 アジア太平洋のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額（2020年-2031年）
4.5 南米のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額（2020年-2031年）
4.6 中東・アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額（2020年-2031年）
5 タイプ別市場セグメント
5.1 世界のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
5.2 世界のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別消費額（2020年-2031年）
5.3 世界のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別平均価格（2020年-2031年）
6 用途別市場セグメント
6.1 世界のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
6.2 世界のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別消費額（2020年-2031年）
6.3 世界のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別平均価格（2020年-2031年）
7 北米市場
7.1 北米のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
7.2 北米のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
7.3 北米のSiC＆GaNパワーデバイスの国別市場規模
7.3.1 北米のSiC＆GaNパワーデバイスの国別販売数量（2020年-2031年）
7.3.2 北米のSiC＆GaNパワーデバイスの国別消費額（2020年-2031年）
7.3.3 アメリカの市場規模・予測（2020年-2031年）
7.3.4 カナダの市場規模・予測（2020年-2031年）
7.3.5 メキシコの市場規模・予測（2020年-2031年）
8 欧州市場
8.1 欧州のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
8.2 欧州のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
8.3 欧州のSiC＆GaNパワーデバイスの国別市場規模
8.3.1 欧州のSiC＆GaNパワーデバイスの国別販売数量（2020年-2031年）
8.3.2 欧州のSiC＆GaNパワーデバイスの国別消費額（2020年-2031年）
8.3.3 ドイツの市場規模・予測（2020年-2031年）
8.3.4 フランスの市場規模・予測（2020年-2031年）
8.3.5 イギリスの市場規模・予測（2020年-2031年）
8.3.6 ロシアの市場規模・予測（2020年-2031年）
8.3.7 イタリアの市場規模・予測（2020年-2031年）
9 アジア太平洋市場
9.1 アジア太平洋のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
9.2 アジア太平洋のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
9.3 アジア太平洋のSiC＆GaNパワーデバイスの地域別市場規模
9.3.1 アジア太平洋のSiC＆GaNパワーデバイスの地域別販売数量（2020年-2031年）
9.3.2 アジア太平洋のSiC＆GaNパワーデバイスの地域別消費額（2020年-2031年）
9.3.3 中国の市場規模・予測（2020年-2031年）
9.3.4 日本の市場規模・予測（2020年-2031年）
9.3.5 韓国の市場規模・予測（2020年-2031年）
9.3.6 インドの市場規模・予測（2020年-2031年）
9.3.7 東南アジアの市場規模・予測（2020年-2031年）
9.3.8 オーストラリアの市場規模・予測（2020年-2031年）
10 南米市場
10.1 南米のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
10.2 南米のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
10.3 南米のSiC＆GaNパワーデバイスの国別市場規模
10.3.1 南米のSiC＆GaNパワーデバイスの国別販売数量（2020年-2031年）
10.3.2 南米のSiC＆GaNパワーデバイスの国別消費額（2020年-2031年）
10.3.3 ブラジルの市場規模・予測（2020年-2031年）
10.3.4 アルゼンチンの市場規模・予測（2020年-2031年）
11 中東・アフリカ市場
11.1 中東・アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
11.2 中東・アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
11.3 中東・アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスの国別市場規模
11.3.1 中東・アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスの国別販売数量（2020年-2031年）
11.3.2 中東・アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスの国別消費額（2020年-2031年）
11.3.3 トルコの市場規模・予測（2020年-2031年）
11.3.4 エジプトの市場規模推移と予測（2020年-2031年）
11.3.5 サウジアラビアの市場規模・予測（2020年-2031年）
11.3.6 南アフリカの市場規模・予測（2020年-2031年）
12 市場ダイナミクス
12.1 SiC＆GaNパワーデバイスの市場促進要因
12.2 SiC＆GaNパワーデバイスの市場抑制要因
12.3 SiC＆GaNパワーデバイスの動向分析
12.4 ポーターズファイブフォース分析
12.4.1 新規参入者の脅威
12.4.2 サプライヤーの交渉力
12.4.3 買い手の交渉力
12.4.4 代替品の脅威
12.4.5 競争上のライバル関係
13 原材料と産業チェーン
13.1 SiC＆GaNパワーデバイスの原材料と主要メーカー
13.2 SiC＆GaNパワーデバイスの製造コスト比率
13.3 SiC＆GaNパワーデバイスの製造プロセス
13.4 産業バリューチェーン分析
14 流通チャネル別出荷台数
14.1 販売チャネル
14.1.1 エンドユーザーへの直接販売
14.1.2 代理店
14.2 SiC＆GaNパワーデバイスの主な流通業者
14.3 SiC＆GaNパワーデバイスの主な顧客
15 調査結果と結論
16 付録
16.1 調査方法
16.2 調査プロセスとデータソース
16.3 免責事項
*** 表一覧 ***
・世界のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別消費額（百万米ドル、2020年対2024年対2031年）
・世界のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別消費額（百万米ドル、2020年対2024年対2031年）
・世界のSiC＆GaNパワーデバイスのメーカー別販売数量
・世界のSiC＆GaNパワーデバイスのメーカー別売上高
・世界のSiC＆GaNパワーデバイスのメーカー別平均価格
・SiC＆GaNパワーデバイスにおけるメーカーの市場ポジション（ティア1、ティア2、ティア3）
・主要メーカーの本社とSiC＆GaNパワーデバイスの生産拠点
・SiC＆GaNパワーデバイス市場:各社の製品タイプフットプリント
・SiC＆GaNパワーデバイス市場:各社の製品用途フットプリント
・SiC＆GaNパワーデバイス市場の新規参入企業と参入障壁
・SiC＆GaNパワーデバイスの合併、買収、契約、提携
・SiC＆GaNパワーデバイスの地域別販売量(2020-2031)
・SiC＆GaNパワーデバイスの地域別消費額(2020-2031)
・SiC＆GaNパワーデバイスの地域別平均価格(2020-2031)
・世界のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・世界のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別消費額(2020-2031)
・世界のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別平均価格(2020-2031)
・世界のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・世界のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別消費額(2020-2031)
・世界のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別平均価格(2020-2031)
・北米のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・北米のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・北米のSiC＆GaNパワーデバイスの国別販売量(2020-2031)
・北米のSiC＆GaNパワーデバイスの国別消費額(2020-2031)
・欧州のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・欧州のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・欧州のSiC＆GaNパワーデバイスの国別販売量(2020-2031)
・欧州のSiC＆GaNパワーデバイスの国別消費額(2020-2031)
・アジア太平洋のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・アジア太平洋のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・アジア太平洋のSiC＆GaNパワーデバイスの国別販売量(2020-2031)
・アジア太平洋のSiC＆GaNパワーデバイスの国別消費額(2020-2031)
・南米のSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・南米のSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・南米のSiC＆GaNパワーデバイスの国別販売量(2020-2031)
・南米のSiC＆GaNパワーデバイスの国別消費額(2020-2031)
・中東・アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・中東・アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・中東・アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスの国別販売量(2020-2031)
・中東・アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスの国別消費額(2020-2031)
・SiC＆GaNパワーデバイスの原材料
・SiC＆GaNパワーデバイス原材料の主要メーカー
・SiC＆GaNパワーデバイスの主な販売業者
・SiC＆GaNパワーデバイスの主な顧客
*** 図一覧 ***
・SiC＆GaNパワーデバイスの写真
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別売上（百万米ドル）
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別売上シェア、2024年
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスの用途別消費額（百万米ドル）
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスの用途別売上シェア、2024年
・グローバルのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額（百万米ドル）
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスの消費額と予測
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスの販売量
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスの価格推移
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスのメーカー別シェア、2024年
・SiC＆GaNパワーデバイスメーカー上位3社（売上高）市場シェア、2024年
・SiC＆GaNパワーデバイスメーカー上位6社（売上高）市場シェア、2024年
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスの地域別市場シェア
・北米のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・欧州のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・アジア太平洋のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・南米のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・中東・アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別市場シェア
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別平均価格
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスの用途別市場シェア
・グローバルSiC＆GaNパワーデバイスの用途別平均価格
・米国のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・カナダのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・メキシコのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・ドイツのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・フランスのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・イギリスのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・ロシアのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・イタリアのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・中国のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・日本のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・韓国のSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・インドのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・東南アジアのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・オーストラリアのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・ブラジルのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・アルゼンチンのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・トルコのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・エジプトのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・サウジアラビアのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・南アフリカのSiC＆GaNパワーデバイスの消費額
・SiC＆GaNパワーデバイス市場の促進要因
・SiC＆GaNパワーデバイス市場の阻害要因
・SiC＆GaNパワーデバイス市場の動向
・ポーターズファイブフォース分析
・SiC＆GaNパワーデバイスの製造コスト構造分析
・SiC＆GaNパワーデバイスの製造工程分析
・SiC＆GaNパワーデバイスの産業チェーン
・販売チャネル： エンドユーザーへの直接販売 vs 販売代理店
・直接チャネルの長所と短所
・間接チャネルの長所と短所
・方法論
・調査プロセスとデータソース
★当レポートに関するお問い合わせ先(購入・見積)★
■ 英文タイトル：Global SiC and GaN Power Devices Market 2025
■ レポートの形態：英文PDF
■ レポートコード：GIR24MKT316208
■ 販売会社：株式会社マーケットリサーチセンター（東京都港区新橋）
★ 本レポートに関するお問い合わせはこちらへ ⇒ https://www.marketresearch.co.jp/inquiry
GlobalInfoResearch社の最新調査によると、世界のSiC＆GaNパワーデバイス市場規模は2024年にxxxx米ドルと評価され、2031年までに年平均xxxx%でxxxx米ドルに成長すると予測されています。
本レポートは、世界のSiC＆GaNパワーデバイス市場に関する詳細かつ包括的な分析です。メーカー別、地域別・国別、タイプ別、用途別の定量分析および定性分析を行っています。市場は絶え間なく変化しているため、本レポートでは競争、需給動向、多くの市場における需要の変化に影響を与える主な要因を調査しています。選定した競合企業の会社概要と製品例、および選定したいくつかのリーダー企業の2025年までの市場シェア予測を掲載しています。
*** 主な特徴 ***
SiC＆GaNパワーデバイスの世界市場規模および予測：消費金額（百万ドル）、販売数量、平均販売価格、2019-2031年
SiC＆GaNパワーデバイスの地域別・国別の市場規模および予測：消費金額（百万ドル）、販売数量、平均販売価格、2019-2031年
SiC＆GaNパワーデバイスのタイプ別・用途別の市場規模および予測：消費金額（百万ドル）、販売数量、平均販売価格、2019-2031年
SiC＆GaNパワーデバイスの世界主要メーカーの市場シェア、売上高（百万ドル）、販売数量、平均販売単価、2019-2025年
本レポートの主な目的は以下の通りです：
– 世界および主要国の市場規模を把握する
– SiC＆GaNパワーデバイスの成長の可能性を分析する
– 各製品と最終用途市場の将来成長を予測する
– 市場に影響を与える競争要因を分析する
本レポートでは、世界のSiC＆GaNパワーデバイス市場における主要企業を、会社概要、販売数量、売上高、価格、粗利益率、製品ポートフォリオ、地理的プレゼンス、主要動向などのパラメータに基づいて紹介しています。本調査の対象となる主要企業には、Infineon、 Efficient Power Conversion (EPC)、 Rohm、 STMicro、 Fuji、 Mitsubishi、 United Silicon Carbide Inc.、 Toshiba、 GeneSic、 Microchip Technology、 GaN Systems、 VisIC Technologies、 Transphormなどが含まれます。
また、本レポートは市場の促進要因、阻害要因、機会、新製品の発売や承認に関する重要なインサイトを提供します。
*** 市場セグメンテーション
SiC＆GaNパワーデバイス市場はタイプ別と用途別に区分されます。セグメント間の成長については2019-2031年の期間においてタイプ別と用途別の消費額の正確な計算と予測を数量と金額で提供します。この分析は、適格なニッチ市場をターゲットとすることでビジネスを拡大するのに役立ちます。
[タイプ別市場セグメント]
GaNパワーデバイス、SiCパワーデバイス
[用途別市場セグメント]
UPS＆PSシステム、太陽光発電インバータ、IMD、EV＆HEV、その他
[主要プレーヤー]
Infineon、 Efficient Power Conversion (EPC)、 Rohm、 STMicro、 Fuji、 Mitsubishi、 United Silicon Carbide Inc.、 Toshiba、 GeneSic、 Microchip Technology、 GaN Systems、 VisIC Technologies、 Transphorm
[地域別市場セグメント]
– 北米（アメリカ、カナダ、メキシコ）
– ヨーロッパ（ドイツ、フランス、イギリス、ロシア、イタリア、その他）
– アジア太平洋（中国、日本、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア）
– 南米（ブラジル、アルゼンチン、コロンビア、その他）
– 中東・アフリカ（サウジアラビア、UAE、エジプト、南アフリカ、その他）
※本レポートの内容は、全15章で構成されています。
第1章では、SiC＆GaNパワーデバイスの製品範囲、市場概要、市場推計の注意点、基準年について説明する。
第2章では、2019年から2025年までのSiC＆GaNパワーデバイスの価格、販売数量、売上、世界市場シェアとともに、SiC＆GaNパワーデバイスのトップメーカーのプロフィールを紹介する。
第3章では、SiC＆GaNパワーデバイスの競争状況、販売数量、売上、トップメーカーの世界市場シェアを景観対比によって強調的に分析する。
第4章では、SiC＆GaNパワーデバイスの内訳データを地域レベルで示し、2019年から2031年までの地域別の販売数量、消費量、成長を示す。
第5章と第6章では、2019年から2031年まで、タイプ別、用途別に売上高を区分し、タイプ別、用途別の売上高シェアと成長率を示す。
第7章、第8章、第9章、第10章、第11章では、2019年から2025年までの世界の主要国の販売数量、消費量、市場シェアとともに、国レベルでの販売データを分析する。2025年から2031年までのSiC＆GaNパワーデバイスの市場予測は販売量と売上をベースに地域別、タイプ別、用途別で掲載する。
第12章、市場ダイナミクス、促進要因、阻害要因、トレンド、ポーターズファイブフォース分析。
第13章、SiC＆GaNパワーデバイスの主要原材料、主要サプライヤー、産業チェーン。
第14章と第15章では、SiC＆GaNパワーデバイスの販売チャネル、販売代理店、顧客、調査結果と結論について説明する。
★ 本レポートに関するお問い合わせはこちらへ ⇒ https://www.marketresearch.co.jp/inquiry
